LMi-MAG 13 juin - Flipbook - Page 61
Dans leurs derniers travaux, publiés dans la revue IEEE Transactions on Electron Devices, les chercheurs ont intégré
pour la première fois des dispositifs UltraRAM dans de petites matrices (4 bits).
logie, qui associe puits quantiques InAs et barrières AlSb :
« Des progrès significatifs ont été réalisés, avec des produits de mémoire émergents commercialisés à petite ou
grande échelle, mais, comme pour les mémoires conventionnelles, le compromis entre la stabilité de l’état logique
et l’énergie de commutation demeure. L’UltraRAM rompt
ce paradigme par l’exploitation de puits quantiques (QWs)
en InAs et de barrières en AlSb pour créer une structure à
triple barrière résonante-tunnel (TBRT) », expliquent les
scientifiques. Dans leurs derniers travaux, publiés dans
la revue IEEE Transactions on Electron Devices, les chercheurs ont intégré pour la première fois des dispositifs
UltraRAM dans de petites matrices (4 bits). Cela leur a
permis de vérifier expérimentalement cette architecture
mémoire, en attente de brevet, qui constituerait la base
des futures puces mémoire UltraRAM.
Si le professeur Manus Hayne, qui dirige les recherches,
a souligné dans un communiqué de presse que « ces
nouveaux résultats confirment les propriétés étonnantes
d’UltraRAM, ce qui nous permet de démontrer son potentiel en tant que mémoire non volatile rapide et efficace à haute endurance », le passage à une fabrication
à grande échelle est beaucoup plus difficile et des progrès sont toujours en cours pour affiner la technologie.
Les chercheurs ont par exemple modifié la conception
de leur puce mémoire afin de tirer pleinement parti de
la physique de l’effet tunnel résonnant, ce qui a permis
d’obtenir des composants 2 000 fois plus rapides que
les premiers prototypes et dont l’endurance des cycles
de programmation/effacement est au moins dix fois supérieure à celle des flashs, sans aucun compromis sur la
rétention des données.
Les théories en physique et science des matériaux développées dans l’article des universitaires dépassent largement le niveau du profane, mais l’essentiel est que l’application de ces techniques et principes à la fabrication
pourrait permettre de créer des dispositifs de stockage
et de mémoire tout-en-un, ce qui se traduirait par une
fabrication plus simple, moins chère et plus rapide de
plus ou moins tous les types de dispositifs informatiques
que nous utilisons aujourd’hui.
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